費(fèi)爾講解自旋—軌道電子學(xué) 攝影/御智斐


　　本報(bào)訊 （記者李含 通訊員任?。?月4日，法國科學(xué)院院士、2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者阿爾貝·費(fèi)爾（AlbertFert）訪問清華并做客清華論壇，發(fā)表題為“自旋—軌道電子學(xué)：自旋電子學(xué)中一個(gè)新的方向”的演講。副校長薛其坤出席并主持論壇。
　　費(fèi)爾在演講中介紹了自旋—軌道電子學(xué)在斯格明子、拓?fù)浣^緣體、自旋霍爾效應(yīng)、手性磁疇壁等研究領(lǐng)域的應(yīng)用情況，并結(jié)合其實(shí)驗(yàn)室研究，簡要回顧了巨磁阻效應(yīng)（GMR）的發(fā)現(xiàn)、原理及其在高密度計(jì)算機(jī)磁硬盤(HDD)磁信息存儲、GMR磁頭、傳感器等方面的廣泛應(yīng)用。他還介紹了與之相似的磁性隧道結(jié)和隧穿磁電阻(TMR)及自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)等在最新研發(fā)的 磁 性 隨 機(jī) 存 儲 器 (STT-MRAM)方面的進(jìn)展。
　　費(fèi)爾重點(diǎn)談到目前自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域中新的研究方向———“自旋—軌道電子學(xué)”，特別是自旋—軌道相互作用等在產(chǎn)生磁性斯格明子過程中的物理機(jī)制及其研究進(jìn)展，并預(yù)測了未來磁性斯格明子在高密度磁信息存儲技術(shù)及其器件設(shè)計(jì)中的潛在應(yīng)用前景。他還分析了 DM相互作用(Dzyaloshinskii-Moriyainteraction，DMI)、Rashiba效應(yīng)以及自旋霍爾效應(yīng)對磁疇壁的旋性和磁疇壁運(yùn)動的影響。
　　演講結(jié)束后，費(fèi)爾回答了現(xiàn)場同學(xué)的提問。
　　費(fèi)爾此行還訪問了物理系和清華—富士康納米科技研究中心，與相關(guān)研究人員進(jìn)行了深入交流。
　　2007年，費(fèi)爾和德國科學(xué)家彼得·格林貝格爾因先后獨(dú)立發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應(yīng)，共同獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。